不同PEDOT核殼分散體的制備總結(jié)

聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）由于其高導(dǎo)電性、低能隙、優(yōu)異的薄膜透明性以及環(huán)境穩(wěn)定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，然而其不溶問題限制了其應(yīng)用。最h的聚合物太陽能電池在100mW/cm2的光照下,開路電壓(Voc)為0。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸（PSS）制備PEDOT分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備PEDOT與其他物質(zhì)的核殼分散體。本文將對主要幾種PEDOT核殼分散體的制備進行總結(jié)。

(PEDOT∶PSS)電導(dǎo)率的變化以及摻雜PEDOT∶PSS薄膜對聚合物太陽能電池器件性n的影響.實驗發(fā)現(xiàn),向PEDOT∶PSS中摻入極性溶劑二甲j亞砜(DMSO)明顯提高了薄膜的電導(dǎo)率,摻雜后的電導(dǎo)率d值達(dá)到1.25S/cm,比未摻雜時提高了3個數(shù)量級.將摻雜的PEDOT∶PSS薄膜作為緩沖層應(yīng)用于聚合物電池(ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/LiF/Al)中,發(fā)現(xiàn)高電導(dǎo)率的PEDOT∶PSS降低了器件的串聯(lián)電阻,增加了器件的短路電流,從而提高了器件的性n.h的聚合物太陽能電池在100mW/cm2的光照下,開路電壓(Voc)為0.63V,短路電流密度(Jsc)為11.09mA·cm-2,填充因子(FF)為63.7%,能量轉(zhuǎn)換效率(η)達(dá)到4.45%.

單體3，4-乙撐二氧噻吩(EDOT)的合成情況

J、D、Stenger-Smith et．a(chǎn)ll于1998年采用下述方法合成了EDOT。通過新型Fe(III)氧化劑的自抑制作用，實現(xiàn)了PEDOT基體對均勻分散Te顆粒的緊密包覆，成功抑制了Te納米顆粒的氧化。反應(yīng)從l代二甘酸(HOOCH –s-CH COOH)開始，通過一系列的步驟合成2，5-二羧酸-3、4-乙撐二氧噻吩，然后通過催化劑脫羧而制成了3、4-乙撐二氧噻吩

該合成法產(chǎn)率低，成本高。改進或找到一種新的合成方法以提高EDOT的產(chǎn)率、降低生產(chǎn)成本是當(dāng)前科研工作者的主要任務(wù)。筆者在合成EDOT的過程中對該方法進行了一些改進，如引入相轉(zhuǎn)移催化劑和沸石分子篩，提高了EDOT的產(chǎn)率。