華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。1）可調(diào)充電電壓源用來(lái)給電容器充電，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流的測(cè)試需求。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

3.1開(kāi)通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開(kāi)通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí)間定義（見(jiàn)下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開(kāi)通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr