在大多數(shù)情況下，這些功能在手機(jī)中“始終打開”。如果來自這些傳感器的數(shù)據(jù)處理由手機(jī)的中央微控制器管理，則電池壽命將大大縮短。相反，的專用MCU芯片使用一小部分功率將數(shù)據(jù)作為傳感器集線器處理。恩智浦ARM M3系列MCU就是一個(gè)例子。根據(jù)EETimes報(bào)道的產(chǎn)品拆解專家Chipworks的說法，Apple使用定制版本的NXP芯片來監(jiān)控iPhone 5S中的傳感器?！癕7控制各種離散傳感器的功能，包括陀螺儀，加速度計(jì)和指南針?！比桥cAtmel（Core 8位AVR MCU）的微控制器承擔(dān)相同的任務(wù)。

電荷耦合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，數(shù)字信號(hào)經(jīng)過壓縮以后由相機(jī)內(nèi)部的閃速存儲(chǔ)器或內(nèi)置硬盤卡保存，因而可以輕而易舉地把數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，并借助于計(jì)算機(jī)的處理手段，根據(jù)需要和想像來修改圖像。

假設(shè)電荷存儲(chǔ)在電極①(加有10V電壓)下面的勢(shì)阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個(gè)電極下面都有一定深度的勢(shì)阱。顯然，電極①下面的勢(shì)阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時(shí)，①、②兩個(gè)電極下面的勢(shì)阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲(chǔ)在電極①下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢(shì)阱深度降低，(d)和(e)所示，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢(shì)阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個(gè)，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時(shí)序的驅(qū)動(dòng)脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的CCD稱為3相CCD。