基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)

無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié)：柵極驅(qū)動電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動態(tài)因素。柵極驅(qū)動器可用于連接控制處理器輸出的相對簡單的低電平信號與開關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對應(yīng)。

對于半橋或全橋等常用配置下的一對開關(guān)器件，驅(qū)動器模塊還須確保和低端器件不會同時導(dǎo)通，即使只是瞬間，因為這會導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離，同時仍需為其提供相應(yīng)的性能。

電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流

在許多電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流，而且這在幾乎所有工業(yè)應(yīng)用中都至關(guān)重要。在某些情況下，需要利用該電流值為轉(zhuǎn)換器提供反饋以實現(xiàn)閉環(huán)性能；在工業(yè)環(huán)境中，還需監(jiān)控負(fù)載以及電機(jī)失速或故障等情況。連續(xù)實時測量電流的一種方式是檢測負(fù)載串聯(lián)的電阻兩端的電壓。通常稱之為分流電阻器，但是在這種情況下該電阻器的作用并非如此。

從概念上說，這種電流測量方式只是單純應(yīng)用歐姆定律而已。然而，在大電流工業(yè)轉(zhuǎn)換器設(shè)備等實際應(yīng)用中，卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。首先，設(shè)計人員必須確定適當(dāng)?shù)碾娮柚?。此時就需要進(jìn)行權(quán)衡：電阻器阻值較大則 IR 壓降更大，可藉此提高分辨率和抗噪性，但同時耗散功率也更大，以致降低負(fù)載的軌電壓，并且可能對控制器/負(fù)載回路的穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響。

變電站直流電源系統(tǒng)典型缺陷及異常處理原則

變電站直流電源系統(tǒng)典型缺陷及異常處理原則：1. 蓄電池組熔斷器熔斷后，應(yīng)立即檢查處理，并采取相應(yīng)措施，防止直流母線失電。2.蓄電池組發(fā)生故障時，應(yīng)迅速隔離故障蓄電池，調(diào)整直流系統(tǒng)運(yùn)行方式或加裝備用蓄電池，保證直流系統(tǒng)重要負(fù)荷運(yùn)行正常。3. 當(dāng)單一直流充電模塊故障時，應(yīng)及時隔離并屏蔽故障充電模塊，加強(qiáng)設(shè)備巡視。4. 當(dāng)直流充電模塊整體故障時，應(yīng)迅速隔離故障充電裝置，調(diào)整直流系統(tǒng)運(yùn)行方式或加裝備用充電裝置，保證直流系統(tǒng)重要負(fù)荷運(yùn)行正常。

大功率直流開關(guān)電源的主要元件是進(jìn)口元件，以及進(jìn)口的專用IGBT集成厚膜驅(qū)動電路；高頻變壓器，集成電路等其他關(guān)鍵部件均選用產(chǎn)品。直流輸出采用恒壓限流和恒流限壓工作模式。功率轉(zhuǎn)換達(dá)90％，比穩(wěn)壓器或飽和電抗器節(jié)能50％，比晶閘管穩(wěn)壓器節(jié)能25％。體積和重量僅為相同規(guī)格晶閘管穩(wěn)壓器的1。 / 5左右。整機(jī)的機(jī)殼和結(jié)構(gòu)件均采用的電鍍鋅鋼板，靜電噴涂鋼板或不銹鋼板制成，關(guān)鍵電路和弱電控制電路大多經(jīng)過防腐處理，以達(dá)到防腐蝕的目的。電鍍行業(yè)的要求。