憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢，因為后者具有更高的擊穿電壓及其他特性，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

高頻開關(guān)直流電源是以進(jìn)口IGBT作為主功率器件

高頻開關(guān)直流電源是以進(jìn)口IGBT作為主功率器件，以超微晶（又稱納米晶）軟磁合金材料為主變壓器鐵芯，主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù)，結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，可靠性強。該電源以其體積小、重量輕、、高可靠的優(yōu)越性能成為可控硅電源的更新?lián)Q代產(chǎn)品。適用于實驗、氧化、電解、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉、化成、腐蝕等各種精密表面處理場所。在陽極氧化、真空鍍膜、電解、電泳、水處理、電子產(chǎn)品老化、電加熱、電化學(xué)等方面也得到用戶一致好評。

大功率直流電源有電壓輸出，也有電流輸出，再調(diào)電壓，電壓就調(diào)不上去了等這主要可能是因為 操作者對"恒壓"、"恒流"的概念不甚清楚的原因所引起的；洛陽普萊德整理提供就舉個簡單的案例好了，如果"恒流"燈亮，說明電源工作在恒流狀態(tài)，這時的輸出電壓也不是調(diào)出來的，而是由負(fù)載決定的。只有去調(diào)節(jié)"電流調(diào)節(jié)"旋鈕，輸出電流才會改變，輸出電壓也隨之變化。