國內(nèi)生產(chǎn)刻蝕機(jī)水平高的企業(yè)為中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（這家同樣是有國資背景的企業(yè)，前兩大股東也是國有企業(yè)，所以有人說我國光刻機(jī)沒發(fā)展起來是因?yàn)閲蟮脑?，這是不對(duì)的，中微半導(dǎo)體也可以說是國企，但是刻蝕機(jī)的技術(shù)水平是世界水平的。國內(nèi)刻蝕機(jī)的發(fā)展離不開尹志堯?yàn)榇淼膸资缓w技術(shù)。尹志堯曾經(jīng)擔(dān)任應(yīng)用材料的公司副總裁（應(yīng)用材料是半導(dǎo)體設(shè)備廠商老大），參與領(lǐng)導(dǎo)幾代等離子體刻蝕設(shè)備的開發(fā)，在美國工作時(shí)就持有86項(xiàng)。2004年回來之后，國家牽頭設(shè)立了中微半導(dǎo)體公司，尹志堯等人重新投入研發(fā)刻蝕機(jī)，僅僅用了3年的時(shí)間就做出了世界的刻蝕機(jī)，為此美國人無法接受，還起訴了中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但是終的驗(yàn)證結(jié)果是沒有任何的侵權(quán)。（這才是中微半導(dǎo)體比上海微電子發(fā)展快的原因，畢竟上海微電子的沒有人才在荷蘭的ASML工作過，也許正是因?yàn)檫@件事，所以美國現(xiàn)在禁止ASML招聘中國的員工）。我國的刻蝕機(jī)技術(shù)位于，中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕機(jī)贏進(jìn)入臺(tái)積電7nm、10nm的生產(chǎn)線，中微半導(dǎo)體的刻蝕機(jī)制造工藝達(dá)到了5nm，已經(jīng)通過了臺(tái)積電的驗(yàn)證




等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。

蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的，化學(xué)蝕刻機(jī)是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。

光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個(gè)圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)""到硅片上的過程。

光柵刻畫:光學(xué)中光柵通常的作用是色散。光柵刻劃是制作光柵的方法之一。