蝕刻過(guò)程中應(yīng)注意的問(wèn)題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會(huì)產(chǎn)生突沿。結(jié)合得不好，可能使保護(hù)層在蝕刻過(guò)程中脫落，最終會(huì)導(dǎo)致文字、圖案等出現(xiàn)變形甚至模糊。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長(zhǎng), 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線(xiàn)的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線(xiàn)。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會(huì)升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線(xiàn)的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線(xiàn)能接近原圖尺寸。 無(wú)論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過(guò)度時(shí)都會(huì)造成導(dǎo)線(xiàn)短路。

溫度的影響

蝕刻速率與溫度有著很大的關(guān)系, 蝕刻速率會(huì)隨著溫度升高而加快。設(shè)計(jì)程序有了設(shè)計(jì)構(gòu)思后應(yīng)該有一個(gè)合理的執(zhí)行步驟，以便按部就班。 蝕刻液溫度低 于 40℃﹐蝕刻速率會(huì)很慢﹐而蝕刻速率過(guò)慢則會(huì)增大側(cè)蝕量﹐影響蝕刻質(zhì)量。 當(dāng)溫度高于 60℃﹐蝕刻速率會(huì)明顯地增大, 但 NH3 的揮發(fā)量也大大地增加﹐導(dǎo)致環(huán)境污染并使蝕刻液中 化學(xué)組份比例失調(diào)。 故一般應(yīng)控制在 45℃~55℃為宜。

蝕刻液的調(diào)整

自動(dòng)控制調(diào)整 隨著蝕刻的進(jìn)行, 蝕刻液中銅的含量不斷增加﹐比重亦逐漸升高。主要用做研究實(shí)驗(yàn)機(jī)，或者簡(jiǎn)單的在金屬上蝕刻標(biāo)記，也稱(chēng)為電打標(biāo)。 當(dāng)蝕刻液中銅濃 度達(dá)到一定的高度時(shí)就要及時(shí)調(diào)整。 在自動(dòng)控制補(bǔ)加裝置中﹐是利用比重控制器來(lái)控制蝕 刻液的比重。 當(dāng)比重升高時(shí)﹐會(huì)自動(dòng)排放出溶液﹐并添加新的補(bǔ)加液﹐使蝕刻液的比重調(diào) 整到允許的范圍。 補(bǔ)加液要事先配制好并放入補(bǔ)加桶內(nèi)﹐使補(bǔ)加桶的液面保持在一定的高 度。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時(shí)設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強(qiáng)弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù)； b.同時(shí)生產(chǎn)前需做首件檢測(cè)原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn)； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準(zhǔn)往上調(diào)或往下調(diào)； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。要更進(jìn)一步地改善,可以透過(guò)對(duì)板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對(duì)板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。 （2）堿洗、脫膜(Glass)