等離子干法刻蝕技術(shù)是利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的技術(shù)。在典型的干法刻蝕工藝過程中，一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，干法刻蝕技術(shù)由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域，憑借在等離子體控制、反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、刻蝕工藝技術(shù)、軟件技術(shù)的積累與創(chuàng)新，北方華創(chuàng)微電子在集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域可提供高端裝備及工藝解決方案。形成了對(duì)硅、介質(zhì)、化合物半導(dǎo)體、金屬等多種材料的刻蝕能力，其中應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的硅刻蝕機(jī)已突破14nm技術(shù)，進(jìn)入主流芯片代工廠，其余各類產(chǎn)品也憑借其優(yōu)異的工藝性能成為了客戶的。

適于在多種金屬材料（如不銹鋼,碳鋼，硬質(zhì)高速合金鋼，鋁合金，表面鍍鉻，

鍍鋅，鍍鎳）制品上直接標(biāo)注字符，或印制不銹鋼標(biāo)牌。用來標(biāo)注產(chǎn)品名稱，

型號(hào)，技術(shù)指標(biāo)，商標(biāo)，廠名，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，安全事項(xiàng)等內(nèi)容。其特點(diǎn)只正規(guī)，清

晰，耐久，不脫落，不變色，操作靈活方便。標(biāo)注深度約幾微米，對(duì)壁簿或精零

件也無熱應(yīng)力，機(jī)械變形影響，不論平面，弧面均能標(biāo)注。

1、 化學(xué)蝕刻法—用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液直接對(duì)工件未被保護(hù)部位進(jìn)行化學(xué)腐蝕，這也是目前使用的一種方法，優(yōu)點(diǎn)是蝕刻深度可深可淺，蝕刻速度很快，缺點(diǎn)是腐蝕液對(duì)環(huán)境有很大的污染，特別是蝕刻液不易回收。并且在生產(chǎn)過程中對(duì)操作工人的身體健康有害。

2、 電化學(xué)蝕刻—這是一種把工件做陽極，使用電解質(zhì)通電，陽極溶解，從而達(dá)到蝕刻目的的方法，其優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)保方面，對(duì)環(huán)境污染很小，對(duì)操作工人的身體健康無害，缺點(diǎn)是蝕刻深度較小，大面積蝕刻時(shí)，電流分布不均勻，深度不易控制。

3、 激光蝕刻法—優(yōu)點(diǎn)是線性邊沿整齊無側(cè)蝕現(xiàn)象，但成本很高，約為化學(xué)蝕刻法的一倍。印刷電路板行業(yè)印刷錫膏時(shí)，所用的不銹鋼絲網(wǎng)大多是用激光蝕刻法制作的。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.激光蝕刻為干式蝕刻，加工制程簡(jiǎn)單，所有加工均由軟件自動(dòng)控制，產(chǎn)品一致性高，良率高達(dá)99%，無耗材，環(huán)保，可靠穩(wěn)定。

2.CCD相機(jī)自動(dòng)定位，加工精度高。

3.設(shè)備操作簡(jiǎn)單，圖檔更新方便，制程縮短，稼動(dòng)率高。

4.設(shè)備控制軟件能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)圖檔分割，移動(dòng)拼接加工，拼接精度可達(dá)±3μm

5.耗電量省，操作人員少，無污染，生產(chǎn)成本低。