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ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要多做考慮。

另外，除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過歐盟rosh以及美國ul認(rèn)證，銷售覆蓋全球。