在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國投入資金的就屬晶圓代工部份。具體來說，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)復(fù)雜，且資金投入的領(lǐng)域。    以處理器為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，且各類加工機(jī)臺先進(jìn)又昂貴，動輒數(shù)千萬美元起跳。而一個(gè)成熟的晶圓代工廠其設(shè)備投入占總設(shè)備比重在70%～80%之間。    氧化：其目的在于生成二氧化硅薄膜。用硅作為半導(dǎo)體原材料的重要因素之一就是硅容易生長出二氧化硅膜層，這樣在半導(dǎo)體上結(jié)合一層絕緣材料，就可用做摻雜阻擋層、表面絕緣層，及元件中的絕緣部分。




離子植入：其是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機(jī)主要的供廠商為AMAT，中國部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國離子植入機(jī)需求可達(dá)5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達(dá)到14nm。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國薄膜沉積設(shè)備需求可達(dá)15億美元與20億美元。    測試：在晶圓完成制造之前，會有一道晶圓中測工序。在測試過程中，會檢測每一個(gè)芯片的電路功能。

用于金屬腐蝕標(biāo)牌的耐腐蝕油墨必須具有以下要求：易于絲網(wǎng)印刷，流變性小，無的精細(xì)油墨，圖像清晰，與板粘接牢固，耐腐蝕，腐蝕后易于去除油墨等，耐腐蝕油墨大致可分為兩種類型：絲網(wǎng)印刷防腐成像油墨;紫外成像防腐油墨。

　　1，絲網(wǎng)印刷防腐成像油墨：

　　油墨可分為三種類型：耐腐蝕性：

　　a，耐酸腐蝕;

　　b，耐堿腐蝕;

　　c，耐酸堿腐蝕。

藥性減低的原因及還原方式

　　隨著化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，蝕刻液藥性降低，是因?yàn)槿然F氧化成了氯化亞鐵，此時(shí)需要將氯化亞鐵還原成三氯化鐵增加藥液酸性。需加入水溶液(還原劑)﹑鹽酸()

　　2.還原反應(yīng)：2FeCl2 NaClO 2HCL﹦2FeCl3 NaCl H2O

　　氯化亞鐵 鹽酸=三氯化鐵 氯化鈉 水(由于亞鐵離子在水中極易水解而產(chǎn)生氫氧化亞鐵：FeCl2 H2O=,Fe(OH)2 HCL所以為了防止氯化亞鐵水解變質(zhì),常在氯化亞鐵溶液中添加一些鹽酸.)

　　3.由于鹽酸容易揮發(fā)，隨著化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，還會發(fā)生以下反應(yīng)：

　　6FeCl2 NaClo 3H2O=4FeCl3 2Fe(OH)3 ↓ NaCl

　　氯化亞鐵 水=三氯化鐵 氫氧化鐵(沉淀物) 氯化鈉

　　(其中氫氧化鐵為沉淀物，所以隨著化學(xué)反應(yīng)時(shí)間的加長，藥箱內(nèi)會出現(xiàn)粘稠狀物質(zhì)。除去該粘稠狀沉淀物，需采用物理過濾方式，如：過濾網(wǎng)過濾或凈水裝置)