周圍環(huán)境的好壞直接影響真空設(shè)備的正常使用；而真空設(shè)備的真空室或裝入里面的零件是否清洗，又直接影響設(shè)備的性能。如果空氣中含有大量的水蒸氣和灰塵，在真空室沒有經(jīng)過清洗的情況下用油封機(jī)械泵去抽氣，要達(dá)到預(yù)期的真空度很難的。眾所周，油封式機(jī)械泵不宜抽除對金屬有腐蝕性、對真空油其反應(yīng)的以含有顆粒塵埃的氣體。水蒸氣為可凝性氣體，當(dāng)大量抽除可凝性氣體時，對泵油的污染會更加嚴(yán)重，結(jié)果使泵的極限真空下降，破壞了泵的抽氣性能。

同時，人們把另一類氣相沉積，即通過高溫加熱金屬或金屬化合物蒸發(fā)成氣相，或者通過電子、等離子體、光子等荷能粒子的能量把金屬或化合物靶濺射出相應(yīng)的原子、離子、分子(氣態(tài))，在固體表面上沉積成固相膜，其中不涉及到物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)(分解或化合)，稱為物理氣相沉積PVD)。

隨著氣相沉積技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，上述兩類型氣相沉積各自都有新的技術(shù)內(nèi)容，兩者相互交叉，你中有我，我中有你，致使難以嚴(yán)格分清是化學(xué)的還是物理的。

（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

① 電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強(qiáng)CVD，或電子束誘導(dǎo)CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。

② 激光輔助CVD（LACVD)，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。

③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。

④ 金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。

對于需要更高的表面形態(tài)質(zhì)量的應(yīng)用（對于粗糙度，晶粒尺寸，化學(xué)計量和其他要求比沉積速率更重要的應(yīng)用），濺射工藝似乎是一種替代方法。由于在冷卻過程中隨著溫度或基材（聚合物）熔化溫度的降低而產(chǎn)生的應(yīng)力，沉積過程對某些應(yīng)用提出了溫度限制。這導(dǎo)致濺射工藝在PVD沉積技術(shù)中變得更加重要，同時又不會忘記基于濺射工藝的新技術(shù)的出現(xiàn)，以滿足不斷增長的市場需求。