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由此實(shí)驗(yàn)和理論確立了自然界中直接CP破壞的存在,成功地檢驗(yàn)了標(biāo)準(zhǔn)模型的CP破壞機(jī)制,排除了超弱作用理論。該項(xiàng)目同時(shí)解釋了困擾粒子物理學(xué)界近五十年的所謂ΔI=1/2規(guī)則。被國(guó)際同行公認(rèn)為“北京組”工作,得到國(guó)際上實(shí)驗(yàn)和理論主要的認(rèn)可和引用。該項(xiàng)目對(duì)CP對(duì)稱性自發(fā)破缺的雙黑格斯二重態(tài)模型(S2HDM)中一些重要的物理唯象進(jìn)行系統(tǒng)研究,指出S2HDM可以成為CP破壞起源的一種新物理模型。
阻抗匹配是指負(fù)載阻抗與激勵(lì)源內(nèi)部阻抗互相適配,得到大功率輸出的一種工作狀態(tài)。對(duì)于不同特性的電路,匹配條件是不一樣的。在純電阻電路中,當(dāng)負(fù)載電阻等于激勵(lì)源內(nèi)阻時(shí),則輸出功率為大,這種工作狀態(tài)稱為匹配,否則稱為失配。當(dāng)激勵(lì)源內(nèi)阻抗和負(fù)載阻抗含有電抗成份時(shí),為使負(fù)載得到大功率
另外,單電阻方式由于驅(qū)動(dòng)能力問題在一般的TTL、CMOS系統(tǒng)中沒有應(yīng)用,而雙電阻方式需要兩個(gè)元件,這就對(duì)PCB的板面積提出了要求,因此不適合用于高密度印刷電路板。數(shù)位系統(tǒng)之多層板訊號(hào)線(Signal Line)中,當(dāng)出現(xiàn)方波訊號(hào)的傳輸時(shí),可將之假想成為軟管(hose)送水澆花。