蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線運(yùn)動(dòng)，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內(nèi)，當(dāng)氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時(shí)，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線飛行，否則，就會(huì)產(chǎn)生碰撞而改變運(yùn)動(dòng)方向。為此，增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。當(dāng)真空容器內(nèi)蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱蒸距)時(shí)，就會(huì)獲得充分的真空條件。設(shè)蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L(zhǎng)，并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實(shí)際行程，λ為氣體分子的平均自由程，設(shè)從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來(lái)的蒸汽分子數(shù)為N0，在相距為L(zhǎng)的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數(shù)為N1，而且假設(shè)蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射，則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計(jì)算可知，在室溫下，p=10-2Pa時(shí)，λ=66.5cm，即一個(gè)分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實(shí)際路程對(duì)平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出，當(dāng)λ=L時(shí)，有63%的蒸發(fā)分子會(huì)發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數(shù)減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過(guò)程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

后處理，涂面漆。第三節(jié)濺射鍍膜濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過(guò)程稱為濺射。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在l0-2Pa～10Pa范圍，所以濺射出來(lái)的粒子在飛向基體過(guò)程中，易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞，使運(yùn)動(dòng)方向隨機(jī)，沉積的膜易于均勻。近年發(fā)展起來(lái)的規(guī)模性磁控濺射鍍膜，沉積速率較高，工藝重復(fù)性好，便于自動(dòng)化，已適當(dāng)于進(jìn)行大型建筑裝飾鍍膜，及工業(yè)材料的功能性鍍膜，及TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag。第四節(jié)電弧蒸發(fā)和電弧等離子體鍍膜這里指的是PVD領(lǐng)域通常采用的冷陰極電弧蒸發(fā)，以固體鍍料作為陰極，采用水冷、使冷陰極表面形成許多亮斑，即陰極弧斑?；“呔褪请娀≡陉帢O附近的弧根。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制