光刻膠國(guó)際化發(fā)展

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，按照現(xiàn)在“單打獨(dú)斗”的研發(fā)路徑，肯定不行。政府相關(guān)部門(mén)要加大產(chǎn)業(yè)政策的配套支持力度，應(yīng)從加快完善整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，定向梳理國(guó)內(nèi)缺失的、產(chǎn)業(yè)依賴度高的關(guān)鍵核心電子化學(xué)品，要針對(duì)電子化學(xué)品開(kāi)發(fā)難度高，檢測(cè)設(shè)備要求高的特點(diǎn)，組織匯聚一些優(yōu)勢(shì)企業(yè)和專(zhuān)家，形成一個(gè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，國(guó)家建立一個(gè)生產(chǎn)應(yīng)用示范平臺(tái)，集中力量突破一些關(guān)鍵技術(shù)。隨著LCD出貨面積的持續(xù)增長(zhǎng)，中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年全球LCD光刻膠的需求量增長(zhǎng)速度為4%~6%。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長(zhǎng)宗健表示，光刻膠要真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，難度很大。問(wèn)題是國(guó)內(nèi)缺乏生產(chǎn)光刻膠所需的原材料，致使現(xiàn)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產(chǎn)光刻膠重要的色漿，至今依賴日本。放眼國(guó)際市場(chǎng)，光刻膠也主要被美國(guó)Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。因此，必須通過(guò)科研單位、生產(chǎn)企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，盡快取得突破。

有專(zhuān)家提出，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠在面板一時(shí)用不起來(lái)，但政府還是要從政策上鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)普通面板的生產(chǎn)企業(yè)盡快用起來(lái)。只有在應(yīng)用過(guò)程中才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，解決問(wèn)題，不斷提升技術(shù)、工藝與產(chǎn)品水平，實(shí)現(xiàn)我國(guó)關(guān)鍵電子化學(xué)品材料的國(guó)產(chǎn)化，完善我國(guó)集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿足國(guó)家和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的需求。光刻膠去除半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。

光刻的工序

下面我們來(lái)詳細(xì)介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，例如：美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)、美國(guó)原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)、美國(guó)VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）、美國(guó)SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）、 日本提出無(wú)藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達(dá)到了新的水平、以HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%到50%。

光刻膠

按感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中，采用不同單體可以形成正、負(fù)圖案，并可在光刻過(guò)程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類(lèi)，在光作用下生成自由基，自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類(lèi)化合物，經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng)，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開(kāi)，鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。

按曝光波長(zhǎng)，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。