金屬蝕刻網(wǎng)片的熔煉過程：

1）一：這個(gè)階段主要是起弧。電爐通電后，電極發(fā)射熱電子，從陰極發(fā)出大量電子，高速電子可使中性的空氣分子離解成離子，從而空氣具有導(dǎo)電能力，產(chǎn)生電弧，釋放出大量的光和熱。

2）二：這個(gè)階段主要是電極穿井和極下爐料的熔化。通電起弧后，電極下的爐料受熱熔化。隨著熔化的進(jìn)行，經(jīng)過15-25分鐘的時(shí)間，電極降到低位置。在此階段，電弧始終被爐料包圍，電弧所放出的熱量絕大部分用于加熱和熔化爐料，對爐蓋的熱輻射很少，應(yīng)該向爐內(nèi)輸送大功率。射頻(RF)功率是用來產(chǎn)生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結(jié)果。

3）三：這一階段主要是電極四周爐料的熔化和電極的回升。隨著熔化的進(jìn)行，液面不斷上升，電極也就相應(yīng)地上升。在回升過程中，周圍的爐料逐漸熔化，當(dāng)爐內(nèi)只有爐坡和爐底還剩部分未熔爐料，即全部爐料熔化80%左右，這一階段結(jié)束。在這個(gè)階段，電弧在大部分時(shí)間中仍被冷料包圍，應(yīng)仍向爐內(nèi)輸送大功率。興之揚(yáng)的材料進(jìn)貨渠道都是正規(guī)大的鋼材壓延廠直供，材質(zhì)穩(wěn)定，環(huán)保達(dá)標(biāo)，萬不可為節(jié)省小成本，造成大失敗。

4）四：這個(gè)階段主要是低溫爐區(qū)爐料的熔化。電弧是點(diǎn)熱源，爐膛內(nèi)的溫度分布不均勻，爐門附近，出鋼口兩側(cè)等處的爐料熔化較慢。應(yīng)及時(shí)將這些地方的冷料推入熔池。在此階段液面仍緩慢上升，鋼水溫度已經(jīng)升高，電弧開始暴露在液面上，輻射加強(qiáng)，應(yīng)該適當(dāng)降低輸入功率和電壓。因?yàn)殄i的很多參加，鎳含量降低到2%~4%，然則，因?yàn)殂t含量為16%~18%，能包管不銹鋼應(yīng)有的耐蝕性，具有和304根本一樣的機(jī)械功能和耐侵蝕性。

第二和第三階段是熔化過程的主要階段，占全部時(shí)間的70-80%，是決定熔化期時(shí)間長短的主要因素。

蝕刻不銹鋼生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展與展望：

自1958年日本引進(jìn)森吉米爾20輥寬帶鋼軋機(jī)開始批量生產(chǎn)不銹鋼薄板以來已過了半個(gè)世紀(jì)，其間日本國內(nèi)的不銹鋼需求隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展得到穩(wěn)步增長。放眼其它各國的經(jīng)濟(jì)發(fā)展不斷擴(kuò)大了對蝕刻不銹鋼的需求。在當(dāng)今世界對環(huán)境問題的關(guān)心不斷高漲的形勢下，利用不銹鋼本身具有的耐熱性能、耐蝕性能等特性，將其應(yīng)用于日益高溫化的汽車尾氣排氣管系統(tǒng)及高鹽腐蝕環(huán)境的海水淡化成套設(shè)備等環(huán)境相關(guān)領(lǐng)域，不銹鋼自身的適用范圍也在不斷擴(kuò)大。受長期以來世界稀土金屬供需緊張的影響，積極進(jìn)行不含鎳的高純鐵素體不銹鋼、低鎳但具高耐蝕性能、高強(qiáng)度的雙相鋼等節(jié)資源、高功能材料的研究開發(fā)，目前已占據(jù)了一定規(guī)模的市場份額。蝕刻不銹鋼價(jià)格另外304蝕刻不銹鋼經(jīng)由冷加工，組織結(jié)構(gòu)也會(huì)向馬氏轉(zhuǎn)化，冷加工變形度越大，馬氏體轉(zhuǎn)化越多，鋼的磁性就越大。

興之揚(yáng)蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數(shù)：

電漿蝕刻制程參數(shù)一般包括了射頻(RF)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設(shè)計(jì)等因素，而這些因素的綜合結(jié)果將直接影響蝕刻的結(jié)果。

射頻(RF)功率是用來產(chǎn)生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結(jié)果。壓力也會(huì)影響離子的密度及撞擊能量，另外也會(huì)改變化學(xué)聚合的能力；蝕刻反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時(shí)間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應(yīng)物滯留的時(shí)間將會(huì)提高化學(xué)蝕刻的機(jī)率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會(huì)影響反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時(shí)間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應(yīng)的蝕刻反應(yīng)物，因此可降低負(fù)載效應(yīng)(LoadingEffect)；改變氣體流量也會(huì)影響蝕刻速率。原則上溫度會(huì)影響化學(xué)反速率及反應(yīng)物的吸附系數(shù)(AdsorptionCoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導(dǎo)致側(cè)壁的保護(hù)減低，但表面在蝕刻后會(huì)較為干凈；4、奧氏體型不銹鋼方鋼同絕大大都的其它金屬材料類似，蝕刻加工不銹鋼材料的膨脹系數(shù)其抗拉強(qiáng)度、屈從強(qiáng)度和硬度，跟著溫度的降低而進(jìn)步。增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機(jī)率，以提升蝕刻制程的再現(xiàn)性。晶圓背部氦氣循環(huán)流動(dòng)可控制蝕刻時(shí)晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質(zhì)，一般常見的材質(zhì)包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質(zhì)會(huì)產(chǎn)生不同的反應(yīng)產(chǎn)物并會(huì)改變蝕刻的直流偏壓。