編輯：DD

肖特基二極管的弱點(diǎn)和避免事項(xiàng)

肖特基二極體的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實(shí)際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值可以到200V。

如何判斷一只肖特基二極管的好壞呢？應(yīng)該如何檢測呢？下面一起為大家講解一下。

通過一個實(shí)例來介紹檢測肖特基二極管的方法。檢測內(nèi)容包括:①識別電極;②檢查管子的單向?qū)щ娦?③測正向?qū)航礦F;④測量反向擊穿電壓VBR。

被測管為常見的to-220封裝肖特基管，共有三個管腳，將管腳按照正面(字面朝向人)從左至右順序編上序號①、②、③。然后選擇500型萬用表的R×1檔進(jìn)行測量，通斷電可顯示不同示數(shù)，根據(jù)示數(shù)就可以判斷這款肖特基二極管的好壞了。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

　常見ASEMI貼片封裝的肖特基型號：

　　BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A

　　MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A

　　SS12、SS14:DO-214AC（SMA），1A

　　SL12、SL14:DO-214AC（SMA），1A

　　SK22:SK24:DO-214AA（SMB），2A

　　SK32:SK34:DO-214AB（SMC），3A

　　MBRD320、MBRD360:TO-252,3A

　　MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A

　　MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A