ParyleneC和ParyleneN的薄膜擊穿電壓

Parylene的特征之一是它們可以形成極薄的膜層。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流擊穿電壓被確定與高聚物厚度有肯定的關(guān)系。圖3畫出了相干的曲線。對(duì)于5個(gè)微米（0.0002inch）以下的薄膜,這方面的性能ParyleneC要強(qiáng)于ParyleneN。這些數(shù)據(jù)注解，兩種Parylene材料都具有很好的絕緣性能，即使厚度小于1個(gè)微米。隨著厚度的減小，單位厚度的擊穿電壓一樣平常將升高。

作為電子電路的防護(hù)涂層，Parylene不需另加防霉劑，自己防霉能達(dá)零級(jí)。在鹽霧實(shí)驗(yàn)中，與其它涂層相比，Parylene防護(hù)的電路電阻幾乎不降落，其它涂層則都有較大的降落。

很薄的Parylene涂層能提供的防護(hù)性能，還有利于電路板工作熱量的消失，因此作為防護(hù)涂層Parylene能使電路具有更高的可靠性，分外是小型高密集度電子電路的防護(hù)，Parylene更表現(xiàn)出其獨(dú)到的上風(fēng)。

Parylene的物理和機(jī)械性能

因?yàn)楦叩姆肿恿浚▇500，000）和高的熔點(diǎn)以及結(jié)晶性，Parylene不能通過傳統(tǒng)的方法例如擠壓成形或鑄造來形成。在175℃以下時(shí)，熔點(diǎn)有機(jī)或其它溶劑的能力極低，所以不能通過澆鑄來形成。

當(dāng)Parylene高聚物由測(cè)試面板支持時(shí)，沖擊阻抗比較高。涂敷在“Q”鋼板上的厚度為0.001英寸的ParylengC在Gardner落球撞擊測(cè)試的效果在250in-lb的范圍內(nèi)。

根據(jù)Arrhenius外推法的數(shù)據(jù)，ParyleneC預(yù)計(jì)可以暴露在持續(xù)100℃的空氣下10年（100，000小時(shí)）。在無氧的氣體環(huán)境或者在真空狀況下，Parylene估計(jì)可以暴露在220℃的溫度下持續(xù)雷同的時(shí)間。在所有的情況下，高溫降低使用壽命。假如應(yīng)用的環(huán)境要求接近或者超過了這個(gè)時(shí)間——溫度——空氣環(huán)境，建議用更接近現(xiàn)實(shí)使用環(huán)境的條件進(jìn)行悉數(shù)的測(cè)試。

Parylene可以經(jīng)過韌化來進(jìn)步擊穿阻抗，進(jìn)步硬度及改動(dòng)摩擦阻抗。這是密度和結(jié)晶度進(jìn)步的效果。

用ParyleneC涂敷的鋼板，在–160℃的液氮中冷卻，在Gardner落體試驗(yàn)中可以承受超過100in-lb的沖擊。相比之下，室溫下為250in-lb。無支持的0.002英寸的ParyleneC薄膜在–165℃下可以彎折180°6次才失效。相比膠而言，聚乙烯、聚氨酯和聚四氟乙烯分別為3次、2次和1次。從2°（–271℃）到室溫環(huán)境的過程對(duì)電氣和物理性能都沒有影響。對(duì)于ParyleneC的厚度從0.002英寸到0.0001英寸的測(cè)試效果如表2.很故意思的是，即使對(duì)于特別很是薄的涂層（0.0001英寸），絕緣阻抗值也比規(guī)定的規(guī)格高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。