離子束刻蝕機(jī)的特點(diǎn)

刻蝕過程是純物理濺射，可以刻蝕任何固體材料;平行離子束刻蝕，高各向異性;無鉆蝕;精度高，分辨率<0.01um.

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影響離子束刻蝕的因素

影響刻蝕效果的因素很多，還有諸如離子刻蝕的二次效應(yīng)、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應(yīng)、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應(yīng)等。

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離子束刻蝕機(jī)

離子源的主要參數(shù)有：①離子束流強(qiáng)。即能夠獲得的有用離子束的等效電流強(qiáng)度，用電流單位A或mA表示。②有用離子百分比。即有用離子束占總離子束的百分比。一般來說，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質(zhì)元素離子等的離子束。③能散度。由于離子的熱運(yùn)動和引出地點(diǎn)的不同，使得離子源給出的離子束的能量對要求的單一能量有一定離散，一般希望能散度盡量小，在的離子束應(yīng)用中尤其是這樣。④束的聚焦性能。以離子束的截面和張角表示。聚焦不好的離子束在傳輸過程中會使離子大量丟失。獲得良好聚焦特性的離子束的終障礙是束中離子之間的靜電排斥力，為了克服這一障礙，應(yīng)盡早使離子獲得較高能量。⑤離子源的效率。以離子束形式引出的工作物質(zhì)占總消耗的工作物質(zhì)的比例。⑥工作壽命。離子源一次安裝以后使用的時(shí)間。