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由中國72家鑄造協(xié)會/學(xué)會聯(lián)手打造的第十六屆中國國際鑄造博覽會The
16th China International Foundry Expo (metal China)于2018年5月16-19日在北京順義新國展博覽中心成功舉辦。展商和觀眾來自中國、德國、美國、巴西、俄羅斯、日本、印度、西班牙等80多個國際和地區(qū),展商數(shù)量超過1300家,觀眾超10萬人次。本次展會得到同行業(yè)、學(xué)者及技術(shù)人員的高度評價。
鋼研納克在本博覽會上集中展示了SparkCCD
6000型全譜火花直讀光譜儀、CSONH氣體分析儀、Plasma 3000型雙向觀測全譜電感耦合等離子體光譜儀、力學(xué)試驗(yàn)機(jī)等分析儀器,吸引了國內(nèi)外眾多參展人員,受到、學(xué)者的一致好評。
操作火花直讀光譜儀時應(yīng)注意要點(diǎn)
工作曲線的標(biāo)準(zhǔn)化操作和描跡操作
①標(biāo)準(zhǔn)化操作每班進(jìn)行一次。如果操作人員認(rèn)為激發(fā)標(biāo)鋼分析結(jié)果穩(wěn)定,可以用上個班的標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)。
在分析過程中個別元素偏離太大時,可以再實(shí)行標(biāo)準(zhǔn)化,保證分析結(jié)果的準(zhǔn)確。
②標(biāo)準(zhǔn)化操作時,研磨標(biāo)準(zhǔn)化樣品較好用新的砂輪片面。
③、標(biāo)準(zhǔn)化過程中,要檢查標(biāo)準(zhǔn)化樣品的號碼,按需要輸入。不可粗心大意的輸入。
④、標(biāo)準(zhǔn)化操作完成以后,要檢查一下系數(shù)和補(bǔ)償值,與上一次做對比,不要變動太大。
直讀光譜儀其它因素影響
光電光譜檢測分析存在的誤差在所難免,要正確的認(rèn)識誤差,查找誤差存在的原因,采取有效的措施消除誤差。光譜檢測分析誤差除受上面幾種因素的影響外,還有以下幾種因素的影響:
1.人的因素: 操作者的質(zhì)量意識、責(zé)任意識、操作技術(shù)、水平高低、熟練程度等都會影響檢測的效果;
2.設(shè)備因素: 比如設(shè)備的狀態(tài)是否優(yōu)良、是否定期檢測和維護(hù),光源性能穩(wěn)定性如何,氬氣供氣系統(tǒng)是否穩(wěn)定,試樣加工設(shè)備狀況是否正常、是否對加工設(shè)備進(jìn)行定期維護(hù)保養(yǎng)等,都會一定程度上影響檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。
3.樣品試樣因素:比如待測試樣成分是否均勻,是否具有試樣的代表性,熱處理狀態(tài)和組織結(jié)構(gòu)狀態(tài)是否正常,標(biāo)準(zhǔn)試樣的成分和控制試樣的成分是否均勻,成分含量的標(biāo)準(zhǔn)值是否可靠,組織結(jié)構(gòu)是否統(tǒng)一、磨制樣品方法是否規(guī)范、效果是否有效等等,都是影響其檢測效果的關(guān)鍵因素。
4.分析方法因素:在分析方法上,分析曲線制作及擬合程度是否達(dá)標(biāo),標(biāo)準(zhǔn)化過程及效果是否,控樣選擇是否規(guī)范,定值是否嚴(yán)格等等,都一定程度上影響著檢測效果。
5.環(huán)境因素:比如檢測所在分析室的溫度、濕度是否正常,受否受電磁干擾的影響,所處環(huán)境是否清潔衛(wèi)生,是否具備檢測要求的條件穩(wěn)定的操作環(huán)境,只有有了良好的檢測環(huán)境,才能為檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性提供保障。
光電光譜分析選用的分析線,必需符合下列要求
直讀光譜分析時,一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成,常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對要求均稱,就是當(dāng)激發(fā)光源有波動時,兩條線對的譜線強(qiáng)度雖有變化,但強(qiáng)度比或相對強(qiáng)度能保持不變。
如R表示強(qiáng)度比即
R=I1/I0
I1為分析線的強(qiáng)度,Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度,表明I1和Io同時變,而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。
在光電直讀光譜分析時,有很多分析通道,要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難,因此采用一個內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線,這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來解決。
光電法時,有時還用內(nèi)標(biāo)線來控制曝光量,稱為自動曝光,也就是樣品在曝光時,分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電,當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時,自動截止曝光。此時分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I,并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io,而此時Io保持常數(shù))這個強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測光讀數(shù)所表示。
現(xiàn)在一般采用計(jì)時曝光法較為普遍。