測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、GTO等各型閘流體與二極管(DIODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

半導體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。所以對新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。 半導體元件的每一個參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個獨特的測量電路，我公司所設計生產(chǎn)的半導體元件自動測試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測出來，且有些參數(shù)從量測的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關斷時間 toff

開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec

8）高壓大功率開關

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應時間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%