真空磁控濺射鍍膜

所謂濺射就是用荷能粒子（通常用惰性氣體的正離子）去轟擊固體（以下稱靶材）表面，從而引起靶材表面上的原子（或分子）從其中逸出的一種現(xiàn)象。磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理控濺射原理電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。這一現(xiàn)象是格洛夫（Grove）于1842年在實(shí)驗(yàn)研究陰極腐蝕問(wèn)題時(shí)，陰極材料被遷移到真空管壁上而發(fā)現(xiàn)的。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時(shí),由于濺射過(guò)程中作為反應(yīng)氣體的氧會(huì)和靶發(fā)生很強(qiáng)的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說(shuō),采用合金靶磁控濺射時(shí),工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。如需了解更多磁控濺射鍍膜機(jī)的相關(guān)信息，歡迎關(guān)注創(chuàng)世威納網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點(diǎn)電話，我司會(huì)為您提供專業(yè)、周到的服務(wù)。陶瓷靶因能抑制濺射過(guò)程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無(wú)zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說(shuō)陶瓷靶解決了所有的問(wèn)題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠(yuǎn)。因此,開(kāi)展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜，在國(guó)1防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性，沉積速率，靶材利用率等方面的問(wèn)題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧啵?

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過(guò)程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過(guò)對(duì)電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài)，靶的電磁場(chǎng)設(shè)汁等。

濺射鍍膜膜厚均勻性是間接衡量鍍膜工藝的標(biāo)準(zhǔn)之一，它涉及鍍膜過(guò)程的各個(gè)方面。因此，制備膜厚均勻性好的薄膜需要建立一個(gè)濺射鍍膜膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)，對(duì)濺射鍍膜的各個(gè)方面進(jìn)行分類、歸納和總結(jié)，找出其內(nèi)在聯(lián)系。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊ya氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。