蝕刻過(guò)程中應(yīng)注意的問(wèn)題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會(huì)產(chǎn)生突沿。3、經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)噴射壓力在1-2Kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉，使蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高，由于該蝕刻機(jī)液體可循環(huán)再生使用，此項(xiàng)可大大降低蝕刻成本，也可達(dá)到環(huán)保加工要求。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長(zhǎng), 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會(huì)升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。 無(wú)論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過(guò)度時(shí)都會(huì)造成導(dǎo)線短路。

條寬損失 (Etch bias) 過(guò)蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。3、試刻這臺(tái)精細(xì)搖晃蝕刻機(jī)傳送帶可以無(wú)級(jí)調(diào)速，沖刷工夫的長(zhǎng)短可以在這里進(jìn)行調(diào)整。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過(guò)程中無(wú)意留下的物質(zhì)。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無(wú)意留下的掩膜。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過(guò) 150 攝氏度時(shí)光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過(guò)程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。使用噴淋式蝕刻機(jī)，有數(shù)個(gè)噴頭從上向下噴灑腐蝕液，金屬板放在下面的傳送帶上，緩慢移動(dòng)，控制速度，進(jìn)行腐蝕。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來(lái)去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過(guò)程。 后烘 (Hard-bake)—用來(lái)去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時(shí)設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強(qiáng)弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù)； b.同時(shí)生產(chǎn)前需做首件檢測(cè)原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn)； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準(zhǔn)往上調(diào)或往下調(diào)； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。金屬蝕刻技術(shù)資料1、金屬銘牌包括：銅牌、鋁牌、不銹鋼牌、鈦金牌和鐵牌。 （2）堿洗、脫膜(Glass)