我們國(guó)家的空氣分子控制等的技術(shù)正在朝有利的方向發(fā)展，這項(xiàng)技術(shù)原先是由日本發(fā)展起來(lái)的，現(xiàn)在已經(jīng)受到了全世界的關(guān)注和認(rèn)可，在我們國(guó)家，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)受到了相關(guān)行業(yè)的重視并且投入研發(fā)，相信在不久的未來(lái)，我們國(guó)家的相關(guān)科研人員一定會(huì)在這個(gè)領(lǐng)域取得讓人滿(mǎn)意的成績(jī)，為我們國(guó)家的凈化工程行業(yè)做出貢獻(xiàn)。壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過(guò)潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。相對(duì)濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對(duì)于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。

1級(jí)：塵埃易使芯片失效或者穩(wěn)定性下降，當(dāng)金屬塵埃落于集成電路上時(shí)，就可能造成短路。當(dāng)空氣中的酸性離子落在電路上時(shí)，可能將電路腐蝕，因此凈化空調(diào)系統(tǒng)對(duì)微電子工業(yè)而言至關(guān)重要。此外，液晶、光纖的生產(chǎn)也需要1級(jí)潔凈度的要求。具體工藝對(duì)溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，所以對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來(lái)越小。現(xiàn)在我們國(guó)家的凈化工程已經(jīng)在朝著節(jié)能的方向發(fā)展了，除了人士以外，其他人很少知道凈化工程的耗能量特別大，時(shí)候普通寫(xiě)字樓的20倍，比美國(guó)更發(fā)達(dá)國(guó)家高出了15%?？吹竭@些令人心驚的數(shù)字，我們國(guó)家的科學(xué)家們從節(jié)能的角度出發(fā)從根本上出出發(fā)，設(shè)計(jì)出能夠節(jié)省的相關(guān)設(shè)備。

壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過(guò)潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。凈化工程的一般施工程序：粉塵作業(yè)，無(wú)塵作業(yè)后，不允許交叉作業(yè)。 否則會(huì)影響項(xiàng)目的質(zhì)量。 也就是說(shuō)，在完成所有粉塵產(chǎn)生操作之后，可以進(jìn)行無(wú)塵操作。相對(duì)濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對(duì)于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。

對(duì)不同潔凈度等級(jí)的潔凈室，產(chǎn)生粉塵和有害氣體的潔凈室，被排介質(zhì)毒性大的、有易1燃易1爆氣體的崗位，應(yīng)單獨(dú)設(shè)局部排風(fēng)系統(tǒng)。而隨著凈化技術(shù)的發(fā)展，建設(shè)凈化車(chē)間的技術(shù)含量也越來(lái)越高，非人士不能也。除了在生產(chǎn)領(lǐng)域，凈化工程技術(shù)還會(huì)逐漸應(yīng)用于家庭、公共場(chǎng)合，為人們提供更潔凈的生活空間凈化工程在設(shè)計(jì)時(shí)，無(wú)論是新建還是重新改造的凈化車(chē)間，都一定依照國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范進(jìn)行。