氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動(dòng)通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長(zhǎng)理想的襯底材料。同時(shí)由于具有可見(jiàn)區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來(lái)的5GHz之外的無(wú)線通信、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。

氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熱 導(dǎo)：0.006 cal/cm/k。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個(gè)鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個(gè)碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡(jiǎn)單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,又有共價(jià)鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒(méi)有離子晶體那么強(qiáng),導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。氧化鋅（ZnO）半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達(dá)60MeV,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價(jià)值。誘人的應(yīng)用前景和制備難度使得ZnO晶體的生長(zhǎng)技術(shù)成為材料研究的熱點(diǎn)。

 目前,生長(zhǎng)氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長(zhǎng)出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長(zhǎng)高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的有效的方法。氧化鋅（ZnO）是重要的工業(yè)原料在塑料和橡膠添加劑丶傳卮器丶發(fā)光顯示器件等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。近幾年人們發(fā)現(xiàn)氧化鋅晶體在常溫下存在柴外受激發(fā)射有可能實(shí)現(xiàn)固體案外和藍(lán)光的激光發(fā)射,其獨(dú)特的發(fā)光性能也引人們極大地關(guān)注。