鍍膜技術(shù)在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中的應(yīng)用

薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：由于薄膜很薄可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。

物理氣相沉積（PVD）是一種真空鍍膜工藝，許多人知道常用于提高切削刀具的性能。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。但北京丹普表面技術(shù)有限公司的真空鍍膜機(jī)設(shè)備可以提供陰極電弧PVD涂層服務(wù)可提供更硬，更潤(rùn)滑的產(chǎn)品，與未涂層工具相比，可將工具壽命提高10倍。耐磨表面。 此外，制造商越來(lái)越多地使用PVD涂層來(lái)區(qū)分其設(shè)備的外觀與類(lèi)似產(chǎn)品和/或增強(qiáng)其設(shè)備的性能，因?yàn)橛操|(zhì)惰性涂層具有生物相容性，不會(huì)與骨骼發(fā)生反應(yīng)，組織或體液。涂覆PVD涂層的的實(shí)例包括，鉆頭和針頭，以及用于各種裝置組件以及應(yīng)用的“磨損”部件。

怎么保證真空鍍膜設(shè)備鍍膜效果與質(zhì)量

真空鍍膜主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜。真空鍍膜設(shè)備若有灰塵，將會(huì)影響真空鍍膜的效果和質(zhì)量。首先，被鍍膜材料表面肯定是有灰塵的，在盡量減小材料表面灰塵的前提下，我們還應(yīng)當(dāng)注意以下幾點(diǎn)：

1、真空鍍膜設(shè)備使用一段時(shí)間后，必須要對(duì)設(shè)備進(jìn)行清潔維護(hù)；

2、規(guī)范操作人員及操作要求，包括穿戴專(zhuān)業(yè)的服裝、手套、腳套等；

3、嚴(yán)格處理襯底材料，做到清潔干凈，合乎工藝要求；

真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。隨著全球制造業(yè)高速發(fā)展，真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

  中國(guó)真空鍍膜機(jī)械行業(yè)，經(jīng)過(guò)了幾十年發(fā)展，形成了門(mén)類(lèi)齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術(shù)水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應(yīng)的體系，真空鍍膜設(shè)備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個(gè)有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術(shù)從重污染轉(zhuǎn)為輕污染直至以后的無(wú)污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機(jī)械設(shè)備研發(fā)必將改變整個(gè)工業(yè)。待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。開(kāi)機(jī)械泵、予抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。 對(duì)于濺射類(lèi)鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。

主要分類(lèi)有兩個(gè)大種類(lèi): 蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等 。

真空電鍍?cè)O(shè)備膜厚的不均勻問(wèn)題

無(wú)論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來(lái)講是工件架的中間位置。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。如果真空電鍍?cè)O(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無(wú)法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長(zhǎng)期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對(duì)真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。

在過(guò)去幾年中，越來(lái)越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供高性能的小規(guī)格、簡(jiǎn)便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對(duì)性能的要求不僅沒(méi)有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化小化等方面。

現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問(wèn)題。從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。