ParyleneC 在芳烴上一個(gè)氫被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過率，沉積生長速率也比N型快得多，是目前應(yīng)用廣、防護(hù)效果好的粉材。ParyleneD 在芳烴上二個(gè)氫被二個(gè)氯原子取代，具有阻燃性。在更高溫度下具有相對更好的物理及電性能，同時(shí)與N、和C型相比，具有更好的熱穩(wěn)定性。

ParyleneHT是苯環(huán)上的4個(gè)氫原子被氟取代，與C,N,D比較，其薄膜的介電強(qiáng)度高、介電常數(shù)低(即透波性能好)，熱穩(wěn)定性好。薄膜本身連續(xù)、致密、無,短期耐溫可達(dá)450攝氏度，長期耐溫可達(dá)350攝氏度,并具有強(qiáng)的抗紫外線能力，更適合作為高頻微波器件的防護(hù)材料。

ParyleneC和ParyleneN的薄膜擊穿電壓

Parylene的特征之一是它們可以形成極薄的膜層。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流擊穿電壓被確定與高聚物厚度有肯定的關(guān)系。

Parylene是一種具有性能的敷形涂層材料，問世后首先在電子領(lǐng)域得到了應(yīng)用。1972年列入美軍標(biāo)46058C許可作為印刷電路板的敷形涂層材料，涂層厚度為0.0005-0.002英寸。

Parylene在微電子／微馬達(dá)上的應(yīng)用 　　　　

Parylene涂層不僅有優(yōu)異的介電性能、低的介質(zhì)損耗和高的介電強(qiáng)度，同時(shí)具有優(yōu)良的機(jī)械性能和耐輻射性能。Parylene如此高的介電強(qiáng)度主要?dú)w功于Parylene能形成連續(xù)無缺陷和無其它填充物的薄膜。

微電子、半導(dǎo)體：使用高純的Parylene作鈍化層和介質(zhì)層，能提供安全、穩(wěn)定的防護(hù)。傳感器和換能器：自動(dòng)化控制和惡劣環(huán)境下使用的傳感器、換能器， Parylene涂層防護(hù)可以提高環(huán)境適應(yīng)性和可靠性，涂層無，且具有防潮功能。各種傳感器傳感部件及彎曲管。適用于各種惡劣環(huán)境。

Parylene(中文稱:派拉綸、聚對，或派瑞林堤對一系列獨(dú)特的高聚物的一個(gè)通常的稱呼。這個(gè)家庭中基本的成員稱作Parylene,即聚對，是一種完全線性的高度結(jié)晶結(jié)構(gòu)的材料。Parylene用獨(dú)特的真空氣相沉積工藝制備，由活性小分子在基材表面"生長"出完全敷形的聚合物薄膜涂層，它能涂敷到各種形狀的表面，包括尖銳的棱邊，裂縫里和內(nèi)表面。

Parylene N 是一種很好的介電材料，具有非常低的介質(zhì)損耗、高絕緣強(qiáng)度以及不隨頻率變化的介電常數(shù)。它是所 有Parylene中穿透能力的一種。具有很好的潤滑性。摩擦系數(shù)為0.25?符合ISO- 10993生物試驗(yàn)要求。符合UDP第六類塑料的生 物試驗(yàn)要求。