ParyleneC 在芳烴上一個(gè)氫被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過率，沉積生長速率也比N型快得多，是目前應(yīng)用廣、防護(hù)效果好的粉材。ParyleneD 在芳烴上二個(gè)氫被二個(gè)氯原子取代，具有阻燃性。在更高溫度下具有相對更好的物理及電性能，同時(shí)與N、和C型相比，具有更好的熱穩(wěn)定性。

ParyleneHT是苯環(huán)上的4個(gè)氫原子被氟取代，與C,N,D比較，其薄膜的介電強(qiáng)度高、介電常數(shù)低(即透波性能好)，熱穩(wěn)定性好。薄膜本身連續(xù)、致密、無,短期耐溫可達(dá)450攝氏度，長期耐溫可達(dá)350攝氏度,并具有強(qiáng)的抗紫外線能力，更適合作為高頻微波器件的防護(hù)材料。

Parylene具有的干膜潤滑特征。涂層可大大地改動了橡膠等產(chǎn)品的外觀潤滑性。根據(jù)ASTMD1984方法，相對靜止物體分別測得Parylene HT(SCS)、N和C的摩擦系數(shù)（COF）為0.15、0.25和0.29。

Parylene涂敷是由活性的對雙游離基小分子氣在印制電路組件表面沉積聚合完成。氣態(tài)的小分子能滲透到包括貼裝件下面任何一個(gè)細(xì)小縫隙的基材上沉積，形成分子量約50萬的高純聚合物。它沒有助劑溶劑等小分子，不會對基材形成傷害，厚度均勻的防護(hù)層和優(yōu)異的性能相結(jié)合，使Parylene涂層僅需0.02-0.05㎜就能對印制電路組件的表面提供非?？煽康姆雷o(hù)，甚至經(jīng)過鹽霧試驗(yàn)，表面絕緣電阻也不會有很大改變，而且較薄的涂層對元器件工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量消散也非常有利。另外由于分子結(jié)構(gòu)對稱性較好，使它在較高的頻率下仍有較小的介質(zhì)損耗和介電常數(shù)，它的這種高頻低損耗特性使它為高頻微波電路的可靠防護(hù)創(chuàng)造了條件。

Parylene粉材的生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)能力都居于國內(nèi)水平，著派瑞林粉材行業(yè)的發(fā)展，是國內(nèi)最大的生產(chǎn)基地。經(jīng)過近多年的研發(fā)、生產(chǎn)與不斷改進(jìn)，成功生產(chǎn)出高純的PARYLENE N粉、不同規(guī)格要求的PARYLENE C粉、PARYLENE D粉、PARYLENE F粉，并PARYLENE 系列新品開發(fā)上形成了一整套完善的理論模式和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品質(zhì)量與國際完全相同，價(jià)格卻遠(yuǎn)低于國際同等水平，為國內(nèi)PARYLENE涂敷企業(yè)降低成本、增加市場競爭力起到了有效的推動作用。