周圍環(huán)境的好壞直接影響真空設(shè)備的正常使用；而真空設(shè)備的真空室或裝入里面的零件是否清洗，又直接影響設(shè)備的性能。如果空氣中含有大量的水蒸氣和灰塵，在真空室沒有經(jīng)過清洗的情況下用油封機(jī)械泵去抽氣，要達(dá)到預(yù)期的真空度很難的。眾所周，油封式機(jī)械泵不宜抽除對(duì)金屬有腐蝕性、對(duì)真空油其反應(yīng)的以含有顆粒塵埃的氣體。水蒸氣為可凝性氣體，當(dāng)大量抽除可凝性氣體時(shí)，對(duì)泵油的污染會(huì)更加嚴(yán)重，結(jié)果使泵的極限真空下降，破壞了泵的抽氣性能。

CVD法具有如下特點(diǎn)：可在大氣或低于大氣壓下進(jìn)行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復(fù)雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)較易準(zhǔn)確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結(jié)合力高，設(shè)備簡(jiǎn)單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會(huì)產(chǎn)生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現(xiàn)象，晶粒長(zhǎng)大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復(fù)合碳化物。

（4）處理后的母材必須進(jìn)行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點(diǎn)的金屬材料。

（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

① 電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強(qiáng)CVD，或電子束誘導(dǎo)CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。

② 激光輔助CVD（LACVD)，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。

③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。

④ 金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。

關(guān)于濺射工藝，在使用磁控濺射工藝的同時(shí)施加幾種材料的精細(xì)層。該真空鍍膜工藝的原材料采用靶材的形式。在濺射過程中，將磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性氣體，該惰性氣體通過沿磁控管的方向在靶和基板之間施加高電壓而加速，從而從靶中釋放出原子尺寸的顆粒。這些粒子是由于氣體離子傳遞的動(dòng)能而投射出來的，這些離子已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)并到達(dá)基板并形成固體薄膜。該技術(shù)可以將表面上先前存在的污染物從表面上清除掉，這是通過反轉(zhuǎn)基材和目標(biāo)之間的電壓極性