物理氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：

(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。

(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

認識PVD物理氣相沉積技術

物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。該技術廣泛應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。

化學氣相沉積的特點

化學氣相沉積工藝是，將加熱的模具暴露在發(fā)生反應的混合氣氛（真空度≤1Pa）中，使氣體與模具表面發(fā)生反應，在模具表面上生成一層薄的固相沉積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個關鍵因素：

一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也就是說，各種初始氣體之間在界面上的反應來產生沉積，或是通過氣相的一個組分與基體表面之間的反應來產生沉積。

二是沉積反應必須在一定的能量條件下進行。一般情況下，產生氣相沉積的化學反應必須有足夠高的溫度作為條件，在有些情況下，可以采用等離子體或激光輔助作為條件，降低沉積反應的溫度。

CVD法具有如下特點：可在大氣或低于大氣壓下進行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結合力高，設備簡單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會產生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現(xiàn)象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復合碳化物。

（4）處理后的母材必須進行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點的金屬材料。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強、抽速等；對于基體來說有，沉積溫度、相對位置、導電狀態(tài)等；對于等離子體有，放電種類、頻率、電極結構、輸進功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。