電池片的制作工藝

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

參數(shù)相互關(guān)系

1. 壓力與間距：壓力越大時(shí)，間距也大；因?yàn)閴毫Υ髸r(shí)，刮刀與網(wǎng)板接觸的地方凸出來(lái)也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會(huì)加大。兩個(gè)參數(shù)當(dāng)中的一個(gè)改變 ,  另外一個(gè)不改 ,  就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質(zhì)量。  

2. 印刷速度影響到產(chǎn)能 ,  同時(shí)也影響到印刷到硅片漿料的多少。

印刷參數(shù)的調(diào)整

1. 先把印刷速度改小，以方便在調(diào)試時(shí)能很好的觀察（如印刷速度為 50mm ) 。   完全松開(kāi)鎖定螺絲，并保證刮刀和回刮刀左右的固定螺絲未鎖，能自由活動(dòng)。

2. 先設(shè)定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無(wú)粘片和虛印。 (  推薦為： 1.5 0.3)

3. 在間距定下后，設(shè)定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到在印刷時(shí)漿料能收干凈就可以。

參數(shù)的調(diào)整

4. 在壓力和間距設(shè)定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調(diào)。（印刷速度未改）

5. 合格后，   慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺(jué)到鎖定螺絲剛碰到東西時(shí)，把鎖定螺絲鎖住。這個(gè)動(dòng)作相當(dāng)于找到了一個(gè)刮膠下降的一個(gè)限位，保證刮刀在壓力加大時(shí)不會(huì)再下壓。

6. 然后加快印刷速度，并測(cè)印刷重量，如過(guò)大，則減速，過(guò)小，則加速。（推薦 170mm ) 。

電池片區(qū)別

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

電池片差別 

太陽(yáng)電池開(kāi)始面世的是單晶硅太陽(yáng)電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素，基本上滿地常有硅的存有，百口莫辯取之不竭，用硅來(lái)生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池，原材料可以說(shuō)不缺?？墒翘釤挸鏊鼌s不易，因此大家在生產(chǎn)制造單晶硅太陽(yáng)電池的一起，又科學(xué)研究了多晶硅太陽(yáng)電池和非晶硅太陽(yáng)電池，迄今商業(yè)服務(wù)經(jīng)營(yíng)規(guī)模生產(chǎn)制造的太陽(yáng)電池，都還沒(méi)跳出來(lái)硅的系列產(chǎn)品。我覺(jué)得能夠生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體器件許多，隨之原材料工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展趨勢(shì)、太陽(yáng)電池的種類將很多?，F(xiàn)階段已開(kāi)展科學(xué)研究和研發(fā)的太陽(yáng)電池，除硅系列產(chǎn)品外，也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類的太陽(yáng)電池，不勝枚舉，下列詳細(xì)介紹幾類較普遍的太陽(yáng)電池。歸類單晶硅太陽(yáng)電池。