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發(fā)布時(shí)間:2021-08-08 09:04  






光刻膠國(guó)內(nèi)的研發(fā)起步較晚

光刻膠的研發(fā),關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專(zhuān)用化學(xué)品,生產(chǎn)而得的不同類(lèi)型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車(chē)電子、航空航天等在內(nèi)的各個(gè)下游終端領(lǐng)域,需求較為分散。光刻膠主要成分有高分子樹(shù)脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑,開(kāi)發(fā)所涉及的技術(shù)難題眾多,需從低聚物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細(xì)度控制和穩(wěn)定、產(chǎn)品配方設(shè)計(jì)和優(yōu)化、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調(diào)整等方面進(jìn)行調(diào)整。因此,要自主研發(fā)生產(chǎn),技術(shù)難度非常之高。

在光刻膠研發(fā)上,我國(guó)起步晚,2000年后才開(kāi)始重視。近幾年,雖說(shuō)有了快速發(fā)展,但整體還處于起步階段。事實(shí)上,工藝技術(shù)水平與國(guó)外企業(yè)有著很大的差距,尤其是材料及設(shè)備都仍依賴(lài)進(jìn)口。


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二、預(yù)烘和底膠涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)

由于光刻膠中含有溶劑,所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。


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表征光刻膠特性和性能、質(zhì)量的參數(shù)有以下三個(gè):
(1)光學(xué)性質(zhì)。2.請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品。光刻膠的光學(xué)性質(zhì)包括光敏度和折射率。
(2)力學(xué)特性和化學(xué)特性。光刻膠的力學(xué)特性和化學(xué)特性包括膠的固溶度、黏滯度、黏著度、抗蝕(刻蝕、腐蝕)性、熱穩(wěn)定性、流動(dòng)性和對(duì)環(huán)境氣氛(如氧氣)的敏感度。
(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應(yīng)用范圍、膠的儲(chǔ)存有效期和膠的燃點(diǎn)。


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