磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?！?

技術(shù)指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機驅(qū)動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位鍍膜。

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小型磁控濺射儀的優(yōu)勢

設(shè)備主要優(yōu)勢    

實用性：設(shè)備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設(shè)備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)一機多用；

方便性：設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調(diào)試簡單，既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔；

高性價比：設(shè)備主要零部件采用進口或國內(nèi)品牌，以國產(chǎn)設(shè)備的價格擁有進口設(shè)備的配置，從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能；

安全性：獨立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護提示等功能，保證了設(shè)備的使用安全性能；

期望大家在選購磁控濺射產(chǎn)品時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

磁控濺射介紹

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來分享磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應(yīng)氣體如氮氣或氧氣。當(dāng)金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。1臺機械泵（4L/S），1臺DN40氣動截止閥，機械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動閘板閥1臺（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺，DN40旁抽氣閥1臺，壓差式充氣閥1臺。