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發(fā)布時間:2021-08-02 16:27  






負性光刻膠簡介

感光樹脂經光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經適當的溶劑處理,溶去可溶性部分,得到所需圖像(見圖光致抗蝕劑成像制版過程)。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構,光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點。②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,經光照后,會發(fā)生光分解反應,由油溶性變?yōu)樗苄?,可以制成正性膠。③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠??逻_公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時,光的波長會限制分辨率(見感光材料)的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規(guī)模集成電路工藝的要求,必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠,X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠,所刻蝕的線條可細至1□m以下。

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光刻膠的作用

光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上,然后用一個developer就能做出需 要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是以智能

管感光材料,在光的照射與溶解度發(fā)生變化。

光刻膠成份

光刻膠通常有三種成分:感光化臺物、基體材料和溶劑。在感光化臺物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類:負性光刻膠和

正性光刻膠。

1、負性光刻膠

主要有聚酸系(聚酯膠)和環(huán)化橡膠系兩大類

2、正性光刻膠

主要以重氮醒為感光化臺物,以酚醛樹脂為基體材料。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高,缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

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光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來越小,對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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