小型磁控濺射儀的優(yōu)勢

設(shè)備主要優(yōu)勢    

實用性：設(shè)備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設(shè)備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)一機(jī)多用；

方便性：設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調(diào)試簡單，既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔；

高性價比：設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國內(nèi)品牌，以國產(chǎn)設(shè)備的價格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置，從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能；

安全性：獨立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能，保證了設(shè)備的使用安全性能；

期望大家在選購磁控濺射產(chǎn)品時多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。標(biāo)配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時濺射速率要減小。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶，如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。

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自動磁控濺射系統(tǒng)有哪些特點？

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

自動磁控濺射系統(tǒng)產(chǎn)品特點：

不銹鋼腔體

晶振夾具具有的<1 ?的厚度分辨率

帶觀察視窗的腔門易于上下的載片

基于LabView軟件的PC計算機(jī)控制

帶密碼保護(hù)功能的多級訪問控制

完全的安全聯(lián)鎖功能

預(yù)真空鎖以及自動晶圓片上/下的載片