單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)

根據(jù)權(quán)利要求1所述的單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述主體包括清洗槽(4)，所述清洗槽(4)位于頂殼(1)的內(nèi)部中間，所述清洗槽(4)的頂端對應(yīng)于頂殼(1)的內(nèi)部設(shè)置有旋轉(zhuǎn)噴塊(12)。

根據(jù)權(quán)利要求2所述的單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述頂殼(1)的內(nèi)部兩側(cè)設(shè)置有噴頭(2)，所述底座(6)的兩側(cè)對應(yīng)于操作門(7)的位置處設(shè)置有支桿(5)。

根據(jù)權(quán)利要求4所述的單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述頂殼(1)的一側(cè)設(shè)置有操作柜(11)，所述操作柜(11)的表面設(shè)置有操作按鈕(10)。

根據(jù)權(quán)利要求4所述的單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述底座(6)的一側(cè)中間設(shè)置有電機(jī)(9)，所述電機(jī)(9)的底端對應(yīng)于底座(6)的一側(cè)設(shè)置有空心管(8)。

山東亞世特工業(yè)清洗設(shè)備有限公司

噴淋塔主要工作原理就是：酸性氣體從塔體下方進(jìn)氣口沿切向進(jìn)入凈化塔，在通 風(fēng)機(jī)的動(dòng)力作用下，迅速充滿進(jìn)氣段空間，然后均勻地通過均流段上升到一層填料吸 收段。在填料的表面上，氣相中酸性物質(zhì)與液相中堿性物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。反應(yīng)生成 物油（多數(shù)為可溶性鹽類）隨吸收液流入下部貯液槽。未全吸收的酸性氣體繼續(xù)上 升進(jìn)入一層噴淋段。在噴淋段中吸收液從均布的噴嘴高速噴出，形成無數(shù)細(xì)小霧滴與 氣體充分混合、接觸、繼續(xù)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。然后酸性氣體上升到二層填料段、噴淋段 進(jìn)行與一層類似的吸收過程。二層與一層噴嘴密度不同，噴液壓力不同，吸收酸性氣 體濃度范圍也有所不同。在噴淋段及填料段兩相接觸的過程也是材熱與傳質(zhì)的過程。 通過控制空塔流速與滯貯時(shí)間確保這一過程的充分與穩(wěn)固。

此方法適用于除去氧化膜或有機(jī)物。因?yàn)榛瘜W(xué)物質(zhì)在硅片表面停留的時(shí)間比較短，對反應(yīng)需要一定時(shí)間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學(xué)試劑很少，對控制成本及環(huán)境保護(hù)有利。

隨著集成電路制程工藝節(jié)點(diǎn)越來越先進(jìn)，對實(shí)際制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。

清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對雜質(zhì)含量越來越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會(huì)引入一些顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進(jìn)行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。