目的和用途 該設(shè)備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。3-2002印制板的設(shè)計和使用 GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T6988-2008電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T3859。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數(shù)及指標 2.1開關(guān)時間測試單元技術(shù)條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) 技術(shù)規(guī)范 供貨范圍一覽表 序號 名稱 型號 單位 數(shù)量 1 半導體靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術(shù)細節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標準和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標準和本技術(shù)規(guī)范的產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標準如遇與供貨方所執(zhí)行的標準不一致時，應(yīng)按較高標準執(zhí)行。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。

6）短路保護放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時快速使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 DC10kV ?放電電流 10kA（5ms） ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 7）正常放電回路 用于設(shè)備正常關(guān)機時放電，使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 10kV ?放電電流 50A ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 8）高壓大功率開關(guān) ?電流能力 2000A ?（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。隔離耐壓 10kV ?響應(yīng)時間 150ms ?脈沖電流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%