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肖特基二極管作用誠信企業(yè)推薦 強元芯電子品質供應商

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發(fā)布時間:2021-10-19 07:01  









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了解了肖特基二極管的基本原理,那你知道肖特基勢壘二極管的內部結構是怎樣的嗎?接下來就由ASEMI專業(yè)技術工程師為您解析這一問題。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片,在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。

什么是肖特基二極管?有何特點意義?

SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,僅約100V,以致于限制了其應用范圍。像在開關電源(SMPS)和功率因數校正(PFC)電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復外延二極管(FRED)和超快速恢復二極管(UFRD)。目前UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上,根本不能滿足像空間站等領域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS,由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,從而使SMPS體積和重量增加,不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此,發(fā)展100V以上的高壓SBD,一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年,SBD已取得了突破性的進展,150V和200V的高壓SBD已經上市,使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功,從而為其應用注入了新的生機與活力。


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