碳化硅制作工藝，由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。碳化硅概述，碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。我們生產(chǎn)的硅錳，硅鈣，硅鈣鋁合金，高碳鉻鐵，復(fù)合脫氧劑，碳化硅，增碳劑，硅鈣線，硅鐵廠家，化學(xué)成分和粒度也可以根據(jù)客戶的要求來訂做。

　　碳化制品，碳化硅制品可以分為很多類，根據(jù)不同的使用環(huán)境，分為不同的種類。一般使用到機(jī)械上比較多。例如使用到機(jī)械密封件上，可以稱為碳化硅密封環(huán)，可以分為靜環(huán)、動環(huán)、平環(huán)等。不過純的碳化硅是污水晶體，碳化硅所呈現(xiàn)出的顏色，主要取決于晶體中雜質(zhì)的忠烈和數(shù)量。也可以根據(jù)客戶的特別要求，制作出各種形狀的碳化硅制品，例如碳化硅異形件，碳化硅板，碳化硅環(huán)等。我們生產(chǎn)的硅錳，硅鈣，硅鈣鋁合金，高碳鉻鐵，復(fù)合脫氧劑，碳化硅，增碳劑，硅鈣線，硅鐵廠家，化學(xué)成分和粒度也可以根據(jù)客戶的要求來訂做。

　　碳化硅化學(xué)性質(zhì)，碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一層二氧化硅薄膜，氧化進(jìn)程逐步被阻礙。在空氣中，碳化硅于800 ℃時(shí)就開始氧化，但很緩慢；隨著溫度升高，則氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧氣中比在空氣中快1.6倍；氧化速率的速度隨著時(shí)間推移而減慢。我們生產(chǎn)的硅錳，硅鈣，硅鈣鋁合金，高碳鉻鐵，復(fù)合脫氧劑，碳化硅，增碳劑，硅鈣線，硅鐵廠家，化學(xué)成分和粒度也可以根據(jù)客戶的要求來訂做。關(guān)于碳化硅破碎，主要是借助于破碎機(jī)械進(jìn)行的，但是有些破碎還是需要借助一些人力來進(jìn)行的。

SiC的脫氧作用在感應(yīng)爐中，SiSiC、CSiC則由廢鋼加入量與其品質(zhì)決定，處于85%和大于95%之間。對于沖天爐，其意義較小，脫氧效果就只能概括表述。熔煉工藝（包括冷風(fēng)、二次空氣的使用、富氧、熱風(fēng)、酸性、堿性、無爐襯）以及在熔化過程臨時(shí)采取的改變因素都會形成重要的影響。曾提到過，爐渣脫硫能力與SiC的去氧作用是相互彼此關(guān)聯(lián)的。一般認(rèn)為是由外來雜質(zhì)的存在引起的，如，以碳化硼的形式引入硼時(shí)，會使晶體呈黑色。爐襯壽命的長短與金屬爐料受氧化程度（廢鋼中形成的銹蝕）、爐料帶入的低熔點(diǎn)化合物的影響有關(guān)。由于爐料中SiC還原金屬氧化物的能力強(qiáng)，因此，可大大改善不良條件引起的 干擾。