真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 

真空鍍膜機工作的環(huán)境要求：       

真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對環(huán)境的要求。真空對環(huán)境的要求，一般包括真空設(shè)備對所處實驗室（或車間）的溫度、空氣中的微粒等周圍環(huán)境的要求，和對處于真空狀態(tài)或真空中的零件或表面要求兩個方面。

工藝特點

（1）廣泛應(yīng)用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機涂層材料等。

（2）在產(chǎn)量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質(zhì)量優(yōu)勢，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產(chǎn)效率不如PVD，具體取決于特定技術(shù)要求和輔助工藝。

4、適用材料

化學(xué)氣相沉積曾是真空技術(shù)廣泛用于陶瓷沉積的一種技術(shù)，特別是對工具涂層更是這樣。

20世界80年代早期隨著等離子體輔助PVD工藝的顯露，CVD在工具方面的應(yīng)用衰落了。但由于這種工藝具有非常好的滲入特性，其在CVI、ALE等領(lǐng)域的工藝中有著很好的應(yīng)用前景，主要用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機涂層材料。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應(yīng)物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質(zhì)，經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質(zhì)同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產(chǎn)物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學(xué)反應(yīng)過程。