光刻膠市場(chǎng)

我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模2015年已達(dá)51.7億元，同比增長(zhǎng)11%，高于國(guó)際市場(chǎng)增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9.75萬(wàn)噸，而需求量為10.12萬(wàn)噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計(jì)，未來(lái)仍將保持供不應(yīng)求的局面。A美國(guó)光刻膠，F(xiàn)uturrex正膠PR1-2000A,去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。據(jù)智研咨詢估計(jì)，得益于我國(guó)平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國(guó)光刻膠市場(chǎng)需求，在2022年可能突破27.2萬(wàn)噸。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國(guó)光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。放眼國(guó)際市場(chǎng)，光刻膠也主要被美國(guó)Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻工藝重要性二

光刻膠的曝光波長(zhǎng)由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動(dòng)。隨著曝光波長(zhǎng)的縮短，光刻膠所能達(dá)到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對(duì)應(yīng)的光刻膠的價(jià)格也更高。

光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對(duì)光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。

工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。

為了實(shí)現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺(tái)積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計(jì)，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無(wú)機(jī)光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。

光刻膠：用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒介

光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計(jì)好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個(gè)下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。

光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個(gè)大類。其中， PCB光刻膠占全球市場(chǎng)24.5%，半導(dǎo)體IC光刻膠占全球市場(chǎng)24.1%，LCD光刻膠占全球市場(chǎng)26.6%。

PR1-1000A1

NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計(jì)用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現(xiàn)出一種倒梯形側(cè)壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年

Lift-Off工藝

應(yīng)用領(lǐng)域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計(jì)用于i 線（365

nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻