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拋光過(guò)程分為兩個(gè)步驟,切削和終拋光。這兩步都要用到拋光墊和拋光漿。切削過(guò)程是去除硅上薄薄的一層,以生產(chǎn)出表面沒(méi)有損傷的晶圓片。終拋光并不去除任何物質(zhì),只是從拋光表面去除切削過(guò)程中產(chǎn)生的微坑。
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由于電容不可能長(zhǎng)期保持電荷不變,必須定時(shí)對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個(gè)過(guò)程稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。金剛石鋸也有助于減少對(duì)晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1,每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請(qǐng)求,該請(qǐng)求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請(qǐng)求得到響應(yīng)時(shí),DMA控制器送出到刷新地址信號(hào),對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。
半導(dǎo)體芯片:在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕,布線,制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片,常見(jiàn)的還包括砷化鎵,鍺等半導(dǎo)體材料。