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原來(lái)磁場(chǎng)強(qiáng)弱雖不好進(jìn)行控制,但同時(shí)工件也在同時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn),且是靶材原子多次沉積此案結(jié)束鍍膜工序,在一段時(shí)間內(nèi)雖然某些部位厚,某些部位薄,但另一個(gè)時(shí)間內(nèi),磁場(chǎng)強(qiáng)的作用下在原來(lái)薄的部位沉積上厚的,在厚的部位沉積上薄的,如此多次,整個(gè)膜層成膜后,均勻性還是比較不錯(cuò)的。
亞氣的送氣均勻性也會(huì)對(duì)膜層均勻性產(chǎn)生影響,其原理實(shí)際上和真空度差不多,因?yàn)閬啔獾倪M(jìn)入,真空室內(nèi)壓強(qiáng)會(huì)產(chǎn)生變化,均勻的壓強(qiáng)大小可以控制成磁控濺射真空鍍膜機(jī)膜厚度的均勻性。
真空電鍍?cè)O(shè)備對(duì)鍍件與鍍膜層有良好的接觸性能與較高的結(jié)合力,真空電鍍?cè)O(shè)備熱膨脹系數(shù)相差小,不起反應(yīng),流平性能好。
真空電鍍?cè)O(shè)備具有良好的真空性能。底涂層固化后放氣量少、熱應(yīng)力小、耐熱性能好。真空電鍍?cè)O(shè)備成膜性能好,真空電鍍?cè)O(shè)備涂層的致密度、覆蓋能力、抗溶劑能力與耐光照能力等性能良好。真空電鍍?cè)O(shè)備與面涂層有良好的相溶性。真空電鍍?cè)O(shè)備由于鍍膜層極薄有孔隙,要求底涂層和面涂層的溶劑和稀釋劑有良好的相溶性。