手機(jī)真空納米鍍膜機(jī)的特點(diǎn)

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，大大擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。

(3)蒸發(fā)或?yàn)R射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較的測(cè)量和控制，從而保證膜厚的均勻性。

什么是鍍膜機(jī)鍍膜的均勻性

均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。在光學(xué)薄膜的尺度上看，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)。原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在對(duì)于多弧離子鍍膜機(jī)的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。鍍膜中化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。對(duì)于晶格有序度的均勻性，這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題

真空鍍膜機(jī)濺射鍍膜與蒸發(fā)鍍膜的區(qū)別：

蒸發(fā)鍍膜是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

濺射鍍膜可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。真空鍍膜機(jī)設(shè)備

濺射鍍膜又分為很多種，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差（因?yàn)槭敲}沖濺射），晶向（外沿）生長(zhǎng)的控制也比較一般。

真空鍍膜設(shè)備背壓檢漏法

(1)充壓過程是將被檢件在充有高壓示漏氣體的容器內(nèi)存放一定時(shí)間，如被檢件有漏孔，示漏氣體就可以通過漏孔進(jìn)入被檢件的內(nèi)部，并且將隨浸泡時(shí)間的增加和充氣壓力的升高，被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力也必然會(huì)逐漸升高。 (2)凈化過程是采用干燥氮?dú)饬骰蚋稍锟諝饬髟诔鋲喝萜魍獠炕蛟谄鋬?nèi)部噴吹被檢件。如不具備氣源時(shí)也可使被檢件靜置，以便去除吸附在被檢件外表面上的示漏氣體。在凈化過程中，因?yàn)橛幸徊糠謿怏w必然會(huì)從被檢件內(nèi)部經(jīng)漏孔流失，從而導(dǎo)致被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力逐漸下降，而且凈化時(shí)間越長(zhǎng)，示漏氣體的分壓降就越大。 (3)檢漏過程則是將凈化后的被檢件放入真空室內(nèi)，將檢漏儀與真空室相連接后進(jìn)行檢漏。