對于熱敏電阻效應,也就是電阻值階躍的原因,在于材料組織是由許多小的微晶構(gòu)成的,在晶粒的界面上,即所謂的晶粒邊界(晶界)上形成勢壘,阻礙電子越界進入到相鄰區(qū)域中去,因此而產(chǎn)生高的電阻.這種效應在溫度低時被抵消:在晶界上高的介電常數(shù)和自發(fā)的極化強度在低溫時阻礙了勢壘的形成并使電子可以自由地流動.而這種效應在高溫時,介電常數(shù)和極化強度大幅度地降低,導致勢壘及電阻大幅度地,呈現(xiàn)出強烈的效應.

熱敏電阻的命名標準和含義：

     M代表敏感電阻器，F(xiàn)代表負溫度系數(shù)熱敏電阻器，接在后面的數(shù)字就是具體的用途或者特征。例如時恒電子的MF72代表功率型NTC熱敏電阻器，MF52代表小黑頭測溫型NTC熱敏電阻器，MF73代表大功率NTC熱敏電阻器，MF58代表玻殼測溫型NTC熱敏電阻器，MF51代表單端玻璃封裝NTC熱敏電阻器等。

熱敏電阻的基本特性是它的溫度特性，許多材料的電阻隨溫度的變化而發(fā)生變化，純金屬和許多合金的電阻隨溫度增加而增加，它們具有正的電阻溫度系數(shù)。像炭、玻璃硅和鍺等材料的電阻隨溫度的增加而減小，具有負的電阻溫度系數(shù)。

在半導體中原子核對價電子的約束力要比金屬中大，因載流子數(shù)少，故半導體的電阻率較大而純金屬的電阻率較小。