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發(fā)布時(shí)間:2021-01-06 14:53  
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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu):高價(jià)回收硅片,電池片,初級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級(jí),庫(kù)存,El,不良測(cè)試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實(shí)驗(yàn)板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。

背電場(chǎng):

A 級(jí):

背電場(chǎng)完整,厚薄均勻,允許有缺失,缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ,變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn):背電場(chǎng)完整,厚薄均勻,不允許有缺失

B 級(jí):

允許有缺失,缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ,變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn):允許有缺失,缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ,變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí):

允許有缺失,缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ,變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn):缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ,變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn):

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ,個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn):不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ,個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn):允許有粗點(diǎn),粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ,個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ,個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn):當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí),應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。





晶硅太陽能電池板的制作過程

晶硅太陽能光伏板的制做全過程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽能電池片生產(chǎn)加工全過程中,根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡,使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸,以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過程中,POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子,那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2,稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成,關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水,熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過多,反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過程中,即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散,硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面,而導(dǎo)致短路故障。因而,務(wù)必對(duì)太陽電池附近的夾雜硅開展刻蝕,以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下,反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下,造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成,反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下,除開轉(zhuǎn)化成正離子外,還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)SiO2表層,在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng),并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層,被超濾裝置抽出來波導(dǎo)管。






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