。●初級(jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利?！耖_關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

而在電路未啟動(dòng)之前，由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓，一旦電路有問(wèn)題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因?yàn)槲覀兇渭?jí)繞組是與初級(jí)繞組相鄰繞制的，耦合效果相對(duì)而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級(jí)的輸出短路，因?yàn)轳詈闲Ч茫渭?jí)短路時(shí)VCC在經(jīng)過(guò)短暫的上沖后會(huì)快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動(dòng)不足。

因此，在布局中應(yīng)仔細(xì)考慮接地線的放置，將各種接地混合會(huì)造成電源工作不穩(wěn)定。在地線設(shè)計(jì)中應(yīng)注意以下幾點(diǎn) ：1. 正確選擇單點(diǎn)接地通常，濾波電容公共端應(yīng)是其它的接地點(diǎn)耦合到大電流的交流地的連接點(diǎn)，同一級(jí)電路的接地點(diǎn)應(yīng)盡量靠近，并且本級(jí)電路的電源濾波電容也應(yīng)接在該級(jí)接地點(diǎn)上，主要是考慮電路各部分回流到地的電流是變化的，因?qū)嶋H流過(guò)的線路的阻抗會(huì)導(dǎo)致電路各部分地電位的變化而引入干擾。在本開關(guān)電源中，它的布線和器件間的電感影響較小，而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾影響較大，因而采用一點(diǎn)接地，即將電源開關(guān)電流回路 （中的幾個(gè)器件的地線都連到接地腳上，輸出整流器電流回路的幾個(gè)器件的地線也同樣接到相應(yīng)的濾波電容的接地腳上，這樣電源工作較穩(wěn)定，不易自激。


六、 設(shè)計(jì)輸出輸出光繪文件的注意事項(xiàng)：a. 需要輸出的層有布線層（底層） 、絲印層（包括頂層絲印、底層絲印）、阻焊層（底層阻焊）、鉆孔層（底層），另外還要生成鉆孔文件（NC Drill）b. 設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。c. 在設(shè)置每層的Layer時(shí)，將Board Outline選上，設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。d. 生成鉆孔文件時(shí)，使用PowerPCB的缺省設(shè)置，不要作任何改變。