●對于偏小磁芯變壓器的設(shè)計：主要有磁芯Ae面積偏小的問題，將會帶來初級圈數(shù)偏多的現(xiàn)象。可以適當(dāng)提高工作頻率，本案例工作頻率在70KHz-75KHz。由于圈數(shù)偏多初次級的耦合將會更有利。所以VCC繞組電壓在短路瞬間會上沖到比較高的狀態(tài)，本案例原理圖上有可控硅做過壓保護(hù)功能。而后因為次級繞組的短路耦合到VCC繞組使其電壓降低到IC不能啟動這個過程是可以實(shí)現(xiàn)的。●要做到以上特性：VCC繞組線徑必須要小，我個人一般取0.17mm以下，小于0.12會很容易斷。這樣小的線徑談不上節(jié)約銅材，但是可以利用銅線的阻抗來代替很多設(shè)計人員習(xí)慣在VCC整流二極管上串聯(lián)小阻值電阻的功能，而且這個利用線圈本身的阻抗對交流的抑制能力在本案例當(dāng)中更有效，可以防止瞬間沖擊而損壞后級電路的功效。

而在電路未啟動之前，由于高壓端啟動電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓，一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路，因為耦合效果好，次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護(hù)。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動不足。

如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。