切割、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了

切割、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了 研磨拋光，切割前應對其定向，確定切割面，切割時首先將鋸片固定好，被切晶體材料固定好，切割速度選擇好，切割時不能不用切割液，它不僅能沖洗鋸片，而且還能減少由于切割發(fā)熱對晶體表面產(chǎn)生的損害，切割液還能沖刷切割區(qū)的晶體碎渣。 切割下來的晶片，要進入下一道工序研磨。首先要用測厚儀分類測量晶片的厚度進行分組，將厚度相近的晶片對稱粘在載料塊上。粘接前，要對晶片的周邊進行倒角處理。粘片時載料塊溫度不易太高，只要固定臘溶化即可，晶片擺放在載料塊的外圈，粘片要對稱，而且要把晶片下面的空氣排凈（用鐵塊壓實）。防止產(chǎn)生載料塊不轉(zhuǎn)和氣泡引發(fā)的碎片的現(xiàn)象。在研磨過程中適時測量減薄的厚度，直到工藝要求的公差尺寸為止。 使用研磨拋光機前要將設備清洗干凈，同時為保證磨盤的平整度，每次使用前都要進行研盤，研盤時將修整環(huán)和磨盤自磨，選用研磨液要與研磨晶片的研磨液相同的磨料進行，每次修盤時間10分鐘左右即可。只有這樣才能保證在研磨時晶片表面不受損傷，達到理想的研磨效果。 拋光前要檢查拋光布是否干凈，拋光布是否粘的平整，一定要干凈平整。進行拋光時，拋光液的流量不能小，要使拋光液在拋光布上充分飽和，一般拋光時間在一小時以上，期間不停機，因為停機，化學反應仍在進行，而機械摩擦停止，造成腐蝕速率大于機械摩擦速率，而使晶片表面出現(xiàn)小坑點。 設備的清洗非常重要，清洗是否干凈將直接影響磨、拋晶片的質(zhì)量。每次研磨或拋光后，都要認真將設備里外清洗干凈。

淺析硅片拋光機的兩種拋光方式

淺析硅片拋光機的兩種拋光方式 硅片拋光機如何解決這個矛盾的的辦法就是把拋光分為兩個階段進行。粗拋目的是去除磨光損傷層，這一階段應具有拋光速率，粗拋形成的表層損傷是次要的考慮，不過也應當盡可能??；其次是精拋(或稱終拋)，其目的是去除粗拋產(chǎn)生的表層損傷，使拋光損傷減到。 硅片拋光機不是碾除整體的糠層，是通過碾除細微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉細粒，拋光機拋光和碾白從工作方面比較存在著很大的差別，拋光機拋光壓力很低，拋光機拋光米粒的時候流體密度很小，拋光時米粒離開鐵輥的速度很快，而且拋光機單位產(chǎn)量拋光運動面積很大。

哪些因素會影響平面研磨機研磨盤的工作效果

哪些因素會影響平面研磨機研磨盤的工作效果 平面研磨機在研磨加工陶瓷等硬脆材料時研磨盤將會很快發(fā)生磨損，造成加工表面質(zhì)量和精度嚴重下降，這就勢必要頻繁地修整研磨盤，不但影響加工效率，增加加工成本，也導致產(chǎn)品合格率降低，因此在研磨過程中，研磨盤顯的尤其重要,而影響研磨盤的有兩個方面： ，研磨盤的磨損程度：磨損越大，研磨盤使用壽命越短，那么對于生產(chǎn)者來說當然是磨損越小越好。關于這點，我們通常可以通過提高平面研磨機切削速度來降低研磨盤磨損，因為切削速度的提高不但不會影響工件的加工精度，還可以增加工件的材料去除率，降低研磨盤磨損。 第二，研磨盤磨損的均勻性：研磨盤磨損不均勻會改變研磨盤平整度，不平整的研磨盤會造成研磨壓力不均勻，導致工件平面度達不到加工要求。而均勻性好能保證在批量加工中，在較長時間內(nèi)加工的工件都具有較好的面形精度，從而降低研磨盤的修盤頻率，提高加工效率和產(chǎn)品合格率，并降低成本。 所以，在平面研磨機設計之初就要能預知研磨盤的磨損形態(tài)，并對研磨機進一步結(jié)構(gòu)優(yōu)化，以保證研磨盤平面度，從而可以降低研磨盤的修整頻率，提高加工效率和產(chǎn)品合格率，讓研磨過程變得更順利，效果也變得更加的。