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西安工業(yè)直流電源生產(chǎn)的用途和特點(diǎn) 天津瑞頤電子

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發(fā)布時(shí)間:2021-08-12 15:35  
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視頻作者:天津瑞頤電子有限公司







早期電源從其指示表頭的檔次

早期電源從其指示表頭的檔次也能基本判斷電源的檔次。后來隨著數(shù)字電壓電流表技術(shù)的普及,越來越多的電源采用數(shù)字電壓表電流表替代指針表。數(shù)字表的優(yōu)點(diǎn)是讀數(shù)方便,一經(jīng)使用就廣受用戶歡迎。數(shù)顯電表較多采用較低成本的LED八字管作為顯示,具有綜合成本低可視度高的特點(diǎn)。同期在一些電源中也有使用單色液晶和VFD屏顯示的,使用這些顯示器件可以方便的現(xiàn)實(shí)除數(shù)值以外的一些信息,但成本提升不少。



脈沖類負(fù)載的電流峰值即使在可編程直流開關(guān)電源輸出額定電流值范

脈沖類負(fù)載的電流峰值即使在可編程直流開關(guān)電源輸出額定電流值范圍內(nèi),或者脈沖類電路或電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電流波形,在計(jì)量設(shè)備所指示的標(biāo)稱值(平均值)內(nèi)。電流也會(huì)達(dá)到可編程直流開關(guān)電源額定電流區(qū)域,從而使輸出電壓下降或者顯得不穩(wěn)定。解決方法是在電源供應(yīng)器與負(fù)載之間串接電感器,或者選擇輸出電流更大的可編程直流開關(guān)電源。如果脈沖類電路脈沖寬度較窄或者電流峰值比較小,可以在負(fù)載端加裝大容量電容器,加以改善, 可按照1 安培約1000UF選擇電容器。



客戶定制的功率控制柜交付完成。系統(tǒng)采用12臺(tái)可控硅功率控制器。對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制,每一臺(tái)對(duì)應(yīng)一個(gè)液晶顯示儀,可顯示系統(tǒng)電壓,系統(tǒng)電流,功率,頻率,報(bào)警信息等,可切換中英文菜單顯示界面。反激式拓?fù)渫ǔS糜诠I(yè)開關(guān)模式電源,低于100W的隔離設(shè)計(jì)。反激式轉(zhuǎn)換器(圖1)利用有間隙的變壓器來傳輸和存儲(chǔ)能量,從而地減少輸出組件的數(shù)量。然而,其不連續(xù)操作中固有的高峰值電流將其用于低功率應(yīng)用。對(duì)于小于12V的輸出電壓,使用反激式線束同步整流(MOSFET)的變化。





SiC開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例

作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較,基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍,開關(guān)速度約是其 10 倍,25℃ 時(shí)的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時(shí),工作溫度高可達(dá) 200℃(硅器件為 125℃),因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理得以簡化。SiC 開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14,1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET,RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性,相對(duì)于施加的脈沖寬度能夠迅速達(dá)到大值(圖 3)。



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