下游發(fā)展趨勢

光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場分別達(dá)到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計，未來仍將保持供不應(yīng)求的局面。預(yù)計2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場將分別達(dá)到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加

NR9-3000PYNR74g 6000PY光刻膠公司

光刻膠底膜處理：清洗：清潔干燥，使硅片與光刻膠良好的接觸。烘干：去除襯底表面的水汽，使其徹底干燥，增粘處理(涂底)： 涂上增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物，HMDS，光刻膠疏水，Sio2 空氣中，Si-OH, 表面有，親水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  與 SI –OH結(jié)合形成Si-O-Si(CH2)2，與光刻膠相親。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加。

光刻膠

光刻膠由光引發(fā)劑、樹脂、溶劑等基礎(chǔ)組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來達(dá)到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。A我們建議使用FuturrexPR1-500A,它有幾個優(yōu)點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~4．求助，耐高溫的光阻是那一種。

分類

根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

優(yōu)點：分辨率高、對比度好。

缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時所需的能量

負(fù)膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優(yōu)點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點： 顯影時發(fā)生變形和膨脹，導(dǎo)致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。